30纳米栅长FinFET中工艺参数对ft的统计建模
其他计算机科学
2010-10-05 v1
摘要
本文通过大量TCAD模拟，研究了工艺变化对30纳米栅长FinFET中单位增益频率（ft）的影响。研究了六个不同的几何参数、沟道掺杂、源/漏掺杂和栅电极功函数对ft的敏感性。发现ft对栅长、欠叠、栅氧化层厚度、沟道和源/漏掺杂更敏感，而对源/漏宽度和长度以及功函数变化较不敏感。通过针对敏感参数进行实验设计，对ft进行了统计建模。通过比较随机实验数据模拟集与模型获得的预测值，验证了该模型。
引用
@article{arxiv.1010.0471,
title = {Statistical Modelling of ft to Process Parameters in 30 nm Gate Length Finfets},
author = {B. Lakshmi and R. Srinivasan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.0471},
year = {2010}
}
备注
12 pages