应变下单层 GaTe 中的自旋分裂与 Rashba 效应
材料科学
2019-05-09 v3 其他凝聚态物理
摘要
本文研究了双轴和单轴应变下单层 GaTe 的自旋电子学性质。此处研究了 GaTe 的两种结构，一种具有镜像对称性，另一种具有反演对称性。我们还计算了有和无自旋轨道耦合的 GaTe 能带结构，以查明自旋轨道相互作用（SOI）对其能带结构的重要性。我们发现，在应变存在下，通过施加自旋轨道耦合可以修饰带隙。我们探索了不同结构和不同应变下的墨西哥帽色散。我们发现墨西哥帽可被调控，但某些情况未显示任何墨西哥帽。我们计算了应变下导带和价带中的自旋分裂，其中具有反演对称性的结构未显示任何分裂。我们发现某些情况下，GaTe 表现出可由应变调节的 Rashba 色散。Rashba 参数的量级可能与其他已报道的二维材料同阶。
引用
@article{arxiv.1812.04820,
title = {Spin-Splitting and Rashba-Effect at Mono-Layer GaTe in the Presence of Strain},
author = {Mohammad Ariapour and Shoeib Babaee Touski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.04820},
year = {2019}
}