非厄米晶体中激发态的空间偏移

我们研究了注入于高度耗散条件下的非厄米微腔晶体阵列中的光波包行为。尽管该阵列的所有本征态都呈指数衰减，但存在一种特定激发态可保持相干传播。在一维晶体中，该态会发生远离注入位置的空间位移偏移，这是一种当谱面围绕复平面上有限区域旋转时，具有点间隙的非厄米系统的基本特性。将这种位移扩展到二维晶体后，揭示了具有可调节臂向的几何异常的 V 形波包形成。值得注意的是，这种几何控制机制无需结构性修改即可实现对非厄米光子态的全光学定向控制。