宽超导薄膜中边缘势垒的空间表征
超导电性
2022-09-29 v1
摘要
本文讨论了宽度大于磁场穿透深度的宽超导薄膜条带在弱磁场中电流诱导的超导性破坏。特别关注边缘势垒（Bean-Livingston 势垒）在临界态形成中的作用，以及在外垂直磁场与传输电流不同相互取向情况下对该临界态负责的边缘的探测。利用空间分辨低温激光扫描显微镜（LTLSM）方法对薄膜条带的临界态和电阻态进行可视化，该方法能够探测薄膜边缘上决定临界电流的区域。基于这些观测，开发了一种简单技术，用于分别研究每个薄膜边缘的临界态，并估算低温恒温器中的残余磁场。所提方法仅需记录弱磁场下薄膜的 current-voltage 特性曲线，从而规避了对复杂 LTLSM 技术的需求。由此获得的信息对于解释超导薄膜单光子光发射探测器的研究尤为重要。
引用
@article{arxiv.2209.14080,
title = {Spatial characterization of the edge barrier in wide superconducting films},
author = {A. G. Sivakov and O. G. Turutanov and A. E. Kolinko and A. S. Pokhila},
journal= {arXiv preprint arXiv:2209.14080},
year = {2022}
}
备注
9 pages, 7 figures. The changes in this post-print version include improved English, modified sectioning, colored Figs.3 and 4, extended format of bibliography (paper titles with DOI are added). Results are unchanged