超导体/磁性材料界面上的 Bean-Livingston 障壁
超导电性
2009-11-10 v2
摘要
在型II超导体/软磁性异构结构的界面上研究 Bean-Livingston 障壁。本文基于经典伦敦模型进行分析。这一障壁对特定结构的几何形状及其界面以及涉及的磁性组分的相对磁导率都表现出特征性依赖。磁性材料的存在对障壁的修改可能显著，这一点以一个被覆有同轴磁性衬层的圆柱形超导体细线为例进行了说明。采用典型的相对磁导数值，预测磁通首次渗透的临界场将显著增强，而平均临界电流密度随外部场的变化将显著抑制，这与最近实验观察的结果一致。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0311157,
title = {The Bean-Livingston barrier at a superconductor/magnet interface},
author = {Yu. A. Genenko and H. Rauh and S. V. Yampolskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0311157},
year = {2009}
}
备注
RevTeX 4; revised version; accepted in Journal of Physics: Condensed Matter