单线圈感测方法测量超导薄膜临界电流密度的离散模型分析
超导电性
2009-11-11 v1
摘要
可通过感应且无接触的方式确定超导薄膜的临界电流密度。当薄膜进入Bean临界态后，置于前方的单线圈中通交流电，将诱导出非零的第三谐波电压 V_3。V_3 的起始点即为薄膜响应于磁感应不再呈线性的电流值。为 realistically 考虑薄膜与线圈之间的磁耦合，我们构建了诱导电流和被诱导电流分布的离散模型。该模型下，评估了薄膜表面的磁场轮廓以及连接线圈中电流与YBa_2Cu_3O_(7-d) 超导薄膜临界电流密度 J_C 的系数。数值结果通过测量数个已知超导性质的YBa_2Cu_3O_(7-d) 薄膜进行验证。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0511508,
title = {Discrete model analysis of the critical current density measurements in superconducting thin films by a single coil inductive method},
author = {M. Aurino and E. Di Gennaro and F. Di Iorio and A. Gauzzi and G. Lamura and A. Andreone},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0511508},
year = {2009}
}
备注
to be published in Journal of Applied Physics