基于格林函数法求解间隙杂质原子的非稳态扩散方程

基于格林函数法，推导了描述非平衡间隙杂质原子非稳态迁移的扩散方程的解析解。假设非平衡杂质间隙原子的初始分布由离子注入形成，因此可用高斯函数描述。在半导体表面施加了杂质间隙原子浓度恒定条件（狄利克雷边界条件）或反射边界条件。在无穷远处（即半导体体内）也对杂质间隙原子浓度施加了狄利克雷边界条件。基于所得解，模拟了低温热处理过程中离子注入硼在硅衬底中的再分布。退火后硼原子的计算分布与实验数据吻合良好。这表明，所推导的解析解既可用于验证数值结果，也可用于模拟低温热处理过程中非平衡杂质间隙原子的长程迁移。