不同瞬态增强扩散抑制条件下离子注入硼再分布的模拟
材料科学
2011-06-27 v1
摘要
通过杂质扩散模拟表明，在800^{\circ}C及更低的退火温度下，无论采用何种方法抑制瞬态增强扩散，离子注入硼的再分布均由非平衡杂质间隙原子的长程迁移所主导。确定了转移至瞬态间隙位置的杂质原子的相对数量，并获得了非平衡硼间隙原子的时间平均迁移长度。
引用
@article{arxiv.1106.4845,
title = {Simulation of ion-implanted boron redistribution under different conditions of the transient enhanced diffusion suppression},
author = {O. I. Velichko and A. P. Kavaliova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.4845},
year = {2011}
}
备注
3 pages, 3 figures