辐射增强杂质原子扩散的微观机制
材料科学
2014-07-15 v1
摘要
对分别用高能和低能质子辐照硅衬底期间硼和磷原子的辐射增强扩散进行了建模。所得结果证实了先前得出的结论，即杂质扩散是通过“杂质原子 - 本征点缺陷”对进行的，并且替代杂质原子、辐照产生的非平衡点缺陷以及对之间满足局部热力学平衡条件。研究表明，利用辐射增强扩散，可以在半导体衬底中形成特殊的杂质分布，包括杂质浓度向半导体体内增加的反常分布。所进行的计算为基于辐射增强扩散的各种掺杂工艺（特别是等离子体掺杂工艺）的进一步研究提供了明确证据，以开发一种在近表面区域形成特定杂质分布的低成本方法。
引用
@article{arxiv.1407.3407,
title = {Microscopic mechanism responsible for radiation-enhanced diffusion of impurity atoms},
author = {Oleg Velichko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.3407},
year = {2014}
}
备注
16 pages, 4 figures