注入硅低温退火过程中硼扩散的模拟
材料科学
2015-06-05 v1 数学物理
math.MP
摘要
对注入硅晶体在低热预算低温退火过程中离子注入硼的再分布进行了建模。研究表明，杂质分布低浓度区域中“拖尾”的形成是由于硼间隙原子的长程迁移所致。
引用
@article{arxiv.1207.3512,
title = {Simulation of boron diffusion during low-temperature annealing of implanted silicon},
author = {O. I. Velichko and A. P. Kavaliova},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.3512},
year = {2015}
}
备注
16 pages, 3 figures