纳米柱晶体管中电子的智能机电泵送
量子物理
2007-07-24 v2
摘要
对纳米柱晶体管中硅盒的室温电流 - 电压 (I-V) 特性的分析表明，0.17 的弱机电耦合是单电子稳定隧穿的原因。该动力学涉及少量电子，指定的数量 (N) 在 3、6 和 12 处呈现周期性。在 N = 7 和 13 处观察到量子化电流，表明该盒是一个人造原子。然而，在 0.5 的较大值下，不稳定性通过显示干涉、通道关闭和隧穿方向的改变而主导 I-V 特性。总体而言，不同通道间偶数和奇数电子的相互作用也表明，该盒的操作方式类似于智能量子泵。
引用
@article{arxiv.0707.0524,
title = {Smart Electromechanical Pumping of Electrons in a Nanopillars Transistor},
author = {Yue-Min Wan and Heng-Tien Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:0707.0524},
year = {2007}
}
备注
17 pages, 5 figures, 1 table