单壁碳纳米管二极管中的子带占据
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们观测到由半导体性单壁碳纳米管与杂质构成的分子二极管中的电流整流现象。纳米管的一半无杂质，具有典型半导体纳米管的电流-电压（I-V）特性。纳米管的另一半带有杂质，其I-V特性为二极管特性。纳米管二极管中的电流由通过分子一维子带传输的空穴承载。在77开尔文，我们观测到通过二极管的电流随栅极电压阶跃式增加，表明我们可以通过静电掺杂控制占据的一维子带数目。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9908109,
title = {Subband population in a single-wall carbon nanotube diode},
author = {R. D. Antonov and A. T. Johnson},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9908109},
year = {2009}
}
备注
to appear in Physical Review Letters. 4 pages & 3 figures