转移印刷等离子体微环谐振腔中 InAs/GaAs 量子点的单等离激元生成
光学
2019-04-16 v2
摘要
我们报道了在等离子体微环谐振腔中嵌入的自组装 InAs/GaAs 量子点实现单等离激元生成。基于 GaAs 微环的等离子体腔定义在原子级光滑的银表面上。我们借助转移印刷制造了该结构，其实现了复杂异质三维堆叠的拾取-放置组装。我们表明，高阶表面等离极化激元横向模式介导了 InAs/GaAs 量子点与等离子体腔之间的高效耦合，为基于最先进固态量子发射器的等离子体量子光源开发铺平了道路。实验上，我们观测到耦合到等离子体模式的量子点的 Purcell 增强辐射。我们还观测到等离子体谐振腔散射光子的强度关联直方图中的强反聚束，表明谐振腔中的单等离激元生成。我们的结果对于集成高性能单等离激元发生器的量子等离子体电路的发展具有重要意义。
引用
@article{arxiv.1904.06153,
title = {Single plasmon generation in an InAs/GaAs quantum dot in a transfer-printed plasmonic microring resonator},
author = {Akihito Tamada and Yasutomo Ota and Kazuhiro Kuruma and Katsuyuki Watanabe and Satoshi Iwamoto and Yasuhiko Arakawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.06153},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 4 figures. To appear in ACS photonics