紧凑型固态III-V单等离子体源方案
光学
2013-06-25 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提出了一种在集成III-V半导体平台上工作于近红外波长的紧凑型单等离子体源，其中薄脊波导用作等离子体通道。通过将一个超小腔连接到通道，表明等离子体产生效率（{\beta}）和进入通道的自发衰减率都可以显著增强。利用洛伦兹互易定理导出的解析模型捕捉了源设计中的主要物理过程，结果与器件的全矢量模拟吻合良好。在共振时，预测超小腔将{\beta}因子提高70%，并将自发衰减率提高20倍。所提出的设计可能为集成和可扩展的等离子体量子网络铺平道路。还讨论了本设计与其他全介质竞争方法的比较。
引用
@article{arxiv.1202.6419,
title = {Proposal for compact solid-state III-V single-plasmon sources},
author = {Choon How Gan and Jean-Paul Hugonin and Philippe Lalanne},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.6419},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 4 figures