引导表面等离激元与近端自组装InGaAs量子点的耦合
光学
2015-06-04 v2
摘要
我们研究了沿GaAs上Au波导的引导表面等离激元的传播长度及其与近表面InGaAs自组装量子点的耦合。我们的结果显示，随着波导宽度从2-5 μm增加，表面等离激元传播长度从13.4 ± 1.7 μm到27.5 ± 1.5 μm。对包含近表面量子点的有源结构进行的实验清楚地表明，传播的等离激元模式激发量子点，提供了一种对表面等离激元模式进行空间成像的新方法。我们使用低温共聚焦显微镜，在激发和探测通道中具有偏振控制。激发后，等离激元沿波导传播并在末端散射到远场。通过比较波导损耗的长度和宽度演化，我们确定在830 nm处（宽度5 μm）等离激元传播长度为27.5 ± 1.5 μm，对于宽度2 μm减小到13.4 ± 1.7 μm。对于包含低密度InGaAs量子点（与Au-GaAs界面精确控制距离7-120 nm）的有源结构，我们探测了量子点与等离激元模式之间的相互耦合。这些研究揭示了从传播表面等离激元到量子点的单向能量转移。光刻提供的对位置和形状的精细控制与近表面量子点相结合，有望在纳米尺度量子光学中实现低于衍射极限的单等离激元的高效片上产生和引导。
引用
@article{arxiv.1203.4671,
title = {Coupling of guided Surface Plasmon Polaritons to proximal self-assembled InGaAs Quantum Dots},
author = {Gregor Bracher and Konrad Schraml and Mäx Blauth and Clemens Jakubeit and Kai Müller and Gregor Koblmüller and Max Bichler and Michael Kaniber and Jonathan J. Finley},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.4671},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 4 figures, SPIE Photonics West