二维石墨烯层中的单粒子弛豫时间与输运散射时间

我们在存在屏蔽带电杂质散射和短程缺陷散射的情况下，理论计算并比较了定义量子能级展宽的单粒子弛豫时间 ($\tau_s$) 与定义 Drude 电导率的输运散射时间 ($\tau_t$)。我们发现比值 $\tau_t/\tau_s$ 随 $k_F z_i$ 和 $\kappa$ 的增加而显著增大，其中 $k_F$、$z_i$ 和 $\kappa$ 分别为费米波矢、基底带电杂质与石墨烯层的间距以及背景晶格介电常数。我们将石墨烯的 $\tau_t/\tau_s$ 结果与相应的调制掺杂半导体结构进行了关键的定量比较，揭示了这两种二维载流子系统之间的显著差异。