分数量子霍尔效应体系中的单电子隧穿
介观与纳米尺度物理
2016-06-02 v1
摘要
回顾了最近一种针对分数量子霍尔效应（QHE）的平均场方法，特别强调其在高磁场下量子点中单电子隧穿的应用。该理论基于Greiter和Wilczek的绝热原理，该原理将整数QHE中的不可压缩态映射到分数量子霍尔效应。分析了具有抛物限域势的量子点的添加谱的单粒子贡献。表明该谱在将电子电荷替换为分数准粒子电荷后，与整数QHE中的Fock-Darwin谱相关。讨论了对电导中Aharonov-Bohm振荡周期性的影响。
引用
@article{arxiv.1606.00030,
title = {Single-electron tunneling in the fractional quantum Hall effect regime},
author = {C. W. J. Beenakker and B. Rejaei},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.00030},
year = {2016}
}
备注
9 pages, 3 figures; contribution to a 1992 workshop