具有表面事件剔除能力的单电子-空穴对灵敏硅探测器
仪器与探测器
2020-03-09 v2 天体物理仪器与方法
摘要
我们展示了在 48 mK 下工作的单面、无接触、面积 1 cm、厚 1 mm 的硅晶体中的单电子-空穴对分辨能力，其基线能量分辨为 3 eV。该晶体可在超过 V 的电压下工作，测得电荷分辨为 0.06 个电子-空穴对。该器件的高铝覆盖度（70%）允许甄别表面事件，并将发生在探测器中心附近的事件与边缘附近的事件分离。我们利用此甄别能力表明，先前类似设计中观测到的非量子化暗事件很可能由沿器件侧壁的电荷泄漏主导。
引用
@article{arxiv.1903.06517,
title = {Single Electron-Hole Pair Sensitive Silicon Detector with Surface Event Rejection},
author = {Ziqing Hong and Runze Ren and Noah Kurinsky and Enectali Figueroa-Feliciano and Lise Wills and Suhas Ganjam and Rupak Mahapatra and Nader Mirabolfathi and Brian Nebolsky and H. Douglas Pinckney and Mark Platt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.06517},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 4 figures, Accepted to NIM A