SiC 高温α粒子探测器中的电子 - 空穴对产生
仪器与探测器
2015-06-16 v1
摘要
我们演示了使用 Am-241 圆盘源，在 n 型 4H-SiC 肖特基二极管探测器中实现高达前所未有的 500 {\deg}C 温度下的α粒子探测。利用测得的能谱计算了 4H-SiC 中的电子 - 空穴对产生能量及其非带隙贡献，发现两者均随温度升高而降低。测得的α能量峰的半高全宽（FWHM）随温度呈指数增加，这是由于漏电流呈指数增长所致。对于我们的测量系统，在高于 300 {\deg}C（此时漏电流为 10-6 A）时，这种增加量超过了室温下的 FWHM。
引用
@article{arxiv.1308.2886,
title = {Electron-Hole Pair Generation in SiC High-Temperature Alpha Particle Detectors},
author = {Timothy R. Garcia and Ashutosh Kumar and Benjamin T. Reinke and Thomas E. Blue and Wolfgang E. Windl},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.2886},
year = {2015}
}
备注
To be published in Applied Physics Letters, 14 pages double-spaced single column, 4 figures, 8 equations