通过量子点接触的扫描栅实验可视化杂质位的单电子充电
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
使用在300 mK温度下运行的扫描栅装置，研究了制作在二维电子气上的量子点接触（QPC）。在扫描针尖修改局域势的同时记录点接触的电导。由局域势引起的杂质单电子充电被观察为收缩区电导的阶梯状变化。通过选择性地改变其中一些杂质的态，可以观察到QPC透射共振的变化。确定了此类杂质的位置，并估计其密度低于每平方微米50个，对应于掺杂浓度的不到1%。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607161,
title = {Single electron charging of impurity sites visualized by scanning gate experiments on a quantum point contact},
author = {A. Pioda and S. Kicin and D. Brunner and T. Ihn and M. Sigrist and K. Ensslin and M. Reinwald and W. Wegscheider},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607161},
year = {2009}
}