从扭绕双层 C568 实现单带正方形格子 Hubbard 模型

我们提议一种扭绕的单层 C568 碳全合物，作为实现可控单带正方形格子扩展 Hubbard 模型的有前景平台。该设置具有广泛可调节 $t'/t$ 比率的优势，且无需额外外部场即可实现中间温度 $t\ll T\ll U$ regime。我们首先分析了来自对称性分析和第一性原理计算得到的连续模型，计算了能带结构。随后，我们推导相应的紧束缚模型并拟合 hopping 参数以及库仑相互作用。当施加位移场时，可进一步实现各向异性最近邻 hopping。若成功制造，该器件将是理解高温超导性的重要里程碑。