Ge/Si 量子点结构中不同$\Delta$ 能谷电子的同时局域化
介观与纳米尺度物理
2015-01-28 v1
摘要
本研究通过电子自旋共振 (ESR) 方法，实验验证了在具有有序 Ge/Si(001) 量子点 (QD) 的结构中，两个电子同时局域化于和能谷的可能性。在黑暗条件下获得的有序十层量子点结构的 ESR 谱显示，对应于电子局域化在 Si 中 Ge 量子点基底边缘、能谷的信号 (=1.9985, =1.999)。光照导致出现一条新的 ESR 谱线 (=1.999)，归因于局域化在量子点顶端的能谷中的电子。观察到的效应解释为：由于被捕获在 Ge 量子点中的光生空穴产生的库仑吸引，增强了量子点顶端附近的电子限制。
引用
@article{arxiv.1501.06757,
title = {Simultaneous Localization of Electrons in different $\Delta$-valleys in Ge/Si Quantum Dot Structures},
author = {Aigul Zinovieva and Natalia Stepina and Anatoly Dvurechenskii and Leonid Kulik and Gregor Mussler and Juergen Moers and Detlev Gruetzmacher},
journal= {arXiv preprint arXiv:1501.06757},
year = {2015}
}
备注
4 pages 1 figure