广义 Allen 形式体系内光学散射率中驼峰结构的模拟及其在氧化铜系统中的应用

我们提出了一种模拟光学散射率中驼峰结构的可能方法。相关载流子的光学散射率可以在扩展 Drude 模型形式体系内定义。当某些电子掺杂和空穴掺杂的氧化铜系统处于自旋密度波或电荷密度波相时，其光学散射率会显示出驼峰结构。这些驼峰结构尚未被模拟清楚且未被充分理解。我们能够在广义 Allen 形式体系内，利用归一化态密度中先峰后谷的特征来模拟驼峰结构。我们观察到，反转谷和峰的顺序会在光学散射率中产生完全不同的特征：峰 - 谷（谷 - 峰）结构会导致散射率中出现驼峰（谷）。我们还从模拟的光学散射率中获得了光学电导率的实部和反射谱，并将它们与已发表的实验谱进行了比较。通过这些比较，我们得出结论，峰 - 谷顺序可以产生在氧化铜系统中实验观察到的驼峰结构。最后，我们用新模型拟合了两组已发表的光学谱，并讨论了我们的结果以及归一化态密度中谷或峰特征的可能起源。