高温超导体中赝能隙态的模型

我们对铜氧化物超导体物理的基本理解进行了简要综述，并列出了“已解决”与“未解决”的问题清单。主要问题仍在于对正常态性质的理论描述，需要阐明所谓赝能隙态的本质。我们回顾了赝能隙态的简化模型，这些模型基于电子被“介电”（AFM、CDW）短程序的（赝能隙）涨落强散射的图像，以及 Fermi 面上“热”点（斑）的概念。赝能隙涨落被描述为适当的静态 Gaussian 随机场散射电子。我们推导了单粒子 Green 函数与顶点部分的递推方程组，考虑了电子被赝能隙涨落散射的所有 Feynman 图。给出了谱密度、态密度与光电导的计算结果，展示了赝能隙与局域化效应。我们分析了在这些赝能隙涨落“背景”上形成的超导态（s 波与 d 波配对）的反常现象。Ginzburg-Landau 展开的微观推导允许计算临界温度 $T_c$ 及超导体的其他基本特征对赝能隙参数的依赖关系。我们还分析了“正常”（非磁性）杂质散射的作用。结果表明，我们的简化模型能够对超导铜氧化物典型的相图进行半定量模拟。