石墨烯层中的氮化硅栅介质与带隙工程
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1
摘要
我们证明氮化硅可以在场效应晶体管中均匀覆盖石墨烯，同时保持沟道迁移率。这种绝缘体使我们能够研究在不同层数石墨烯的顶栅器件中，狄拉克（中性）点处的最大沟道电阻随垂直电场强度的变化。通过使用一个简单模型来解释狄拉克点附近的表面电势变化（电子-空穴池），我们估计了不同层中电场诱导的带隙或带重叠。
引用
@article{arxiv.1009.2023,
title = {Silicon nitride gate dielectrics and bandgap engineering in graphene layers},
author = {Wenjuan Zhu and Deborah Neumayer and Vasili Perebeinos and Phaedon Avouris},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.2023},
year = {2015}
}