量子与拓扑霍尔效应中的晶格几何特征
强关联电子
2017-10-17 v3
摘要
斯格明子晶体中电子的拓扑霍尔效应（THE）与晶格上的量子霍尔效应（QHE）密切相关。这种关系建议重新审视 QHE，因为其霍尔电导率可以进行非常规量子化。如果费米能级跨越 van Hove 奇点，它会出现跃变并突然改变符号。在本文中，我们通过讨论正方形和三角形晶格的能带结构、霍尔电导率和拓扑边缘态来研究非常规的 QHE 特征；它们的起源是斯格明子晶体（THE）能带或相应 Landau 能级（QHE）的 Chern 数。霍尔电导率能量依赖性中的显著特征可追溯至无磁场时的能带结构，其性质由晶格几何决定。基于这些发现，我们推导出一种近似，使我们能够确定任意二维晶格上拓扑霍尔电导率的能量依赖性。该近似对蜂窝晶格的有效性得到了证明。我们得出结论，斯格明子晶体适用于进行实验，以验证我们关于 THE 以及（间接地）QHE 的发现。
引用
@article{arxiv.1704.00567,
title = {Signatures of lattice geometry in quantum and topological Hall effect},
author = {Börge Göbel and Alexander Mook and Jürgen Henk and Ingrid Mertig},
journal= {arXiv preprint arXiv:1704.00567},
year = {2017}
}
备注
17 pages, 12 figures