高拓扑数斯格明子晶体中的非常规拓扑霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2020-09-14 v2
摘要
拓扑数 等于大于 1 的整数的斯格明子称为高拓扑数斯格明子或高- 斯格明子。本工作中，我们从理论上研究具有 和 的方格子高- 斯格明子晶体（SkX）中的拓扑霍尔效应。由于演生磁场，类朗道能级的电子能带结构在费米能量位于相邻单能带或交织的多能带之间的能隙内时，产生量子化霍尔电导。我们发现，不同于常规（）SkX，当费米能量抬升跨越每个能带时，霍尔量子化数平均增加 。我们将此结果归因于 Berry 相位 在动量空间中测量，而单个斯格明子的拓扑数 在实空间中测量。这种互反性不影响常规 SkX，因为 。
引用
@article{arxiv.1908.05772,
title = {Unconventional topological Hall effect in high-topological-number skyrmion crystals},
author = {Rui Zhu and Weinan Liu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.05772},
year = {2020}
}