具有更高拓扑荷的量子霍尔斯格明子
介观与纳米尺度物理
2015-06-25 v1
摘要
我们研究了填充因子ν=1时携带多于一个单位拓扑荷（因而也是电荷）的量子霍尔斯格明子。通过解析与数值方法的结合，我们发现了违反直觉的结果：当塞曼能被调谐到远小于相互作用能的值（g μ_B B/(e^2/εℓ) < 9×10^-5）时，电荷二斯格明子的产生能变得小于电荷一斯格明子产生能的两倍，即斯格明子成对束缚。双电荷斯格明子对进一步的电荷积聚是稳定的，并且每单位电荷的自旋比电荷一斯格明子大10%，这原则上可以指示这种配对现象。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9704121,
title = {Quantum Hall Skyrmions with Higher Topological Charge},
author = {D. Lilliehook and K. Lejnell and A. Karlhede and S. L. Sondhi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9704121},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures. Submitted to Phys. Rev. B, Rapid Communications