栅压控制三势垒共振隧穿二极管的自洽维格纳分布函数研究
介观与纳米尺度物理
2011-03-03 v1
摘要
通过求解Wigner-Poisson问题的自洽数值方法，我们研究了电子穿越三势垒共振隧穿二极管（TBRTD）的输运过程。通过施加于某一势阱区的栅极电压，可以控制流经TBRTD的电子流。对于不同的栅压值，我们确定了电流-电压特性、势能分布以及电子密度分布。我们发现了峰谷比的增强（高达10）、负微分电阻区中电流随偏压呈线性变化行为的出现，以及电流-电压特性的双稳态。对自洽势能分布和电子密度分布的分析使我们能够对这些性质给出物理解释。
引用
@article{arxiv.0903.4765,
title = {Self-consistent Wigner distribution function study of gate-voltage controlled triple-barrier resonant tunnelling diode},
author = {P. Wojcik and B. J. Spisak and M. Woloszyn and J. Adamowski},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.4765},
year = {2011}
}
备注
13 pages, 7 figures