PDMS 的选择性刻蚀：作为正性抗蚀剂的刻蚀
应用物理
2017-12-11 v1
摘要
尽管聚二甲基硅氧烷（PDMS）在微纳加工等众多应用中被广泛使用，但其选择性刻蚀方法至今未知。本工作中，作者提出了两种将纯的、无添加剂且已固化的 PDMS 作为正性抗蚀剂材料进行刻蚀的方法。为实现选择性刻蚀所需的聚合物化学改性，使用了高能离子。我们制备了 7 μm 和 45 μm 厚的 PDMS 层，并用聚焦质子微束以各种相对较大的注量对其进行图形化。本文中作者证明，70 °C 下的 30 wt% 氢氧化钾（KOH）或 30 wt% 氢氧化钠（NaOH）可选择性刻蚀质子辐照后的 PDMS，并去除化学充分改性的区域。在 KOH 显影情形下，最大刻蚀速率约为 3.5 μm/分钟，出现在约 7.5*10^15 ion*cm-2 处。在 NaOH 刻蚀情形下，最大刻蚀速率略低，为 1.75 μm/分钟，出现在略高的注量 8.75*10^15 ion*cm-2 处。这些结果极为重要，因为此前一直未知如何在光刻中将无添加剂、交联的聚二甲基硅氧烷作为正色调抗蚀剂材料进行显影。
引用
@article{arxiv.1712.03125,
title = {Selective etching of PDMS: etching as positive resist},
author = {S. Z. Szilasi and C. Cserhati},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.03125},
year = {2017}
}
备注
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