临界无序超薄CNi3薄膜中反常霍尔效应的饱和
强关联电子
2010-02-26 v1
摘要
我们证明，在超薄、非晶、铁磁性CNi3薄膜的相关绝缘体阈值处，会出现一种独特的高无序反常霍尔效应相。在弱局域化区域（其中薄层电导G >> e^2/h），薄膜的反常霍尔电阻随无序度增加而增大，且霍尔电导按Gxy ~ G^1.6标度。然而，在足够高的无序度下，系统开始进入二维相关绝缘体区域，此时霍尔电阻Rxy突然饱和，标度指数变为2。隧穿测量表明，饱和行为与二维库仑能隙的出现相一致，这表明电子-电子相互作用介导了高无序相。
引用
@article{arxiv.1002.0099,
title = {Saturation of the Anomalous Hall Effect in Critically Disordered Ultra-thin CNi3 Films},
author = {Y. M. Xiong and P. W. Adams and G. Catelani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1002.0099},
year = {2010}
}
备注
6 pages, 4 figures, to appear in PRL