SrRuO3 中的双通道反常霍尔效应
强关联电子
2020-05-20 v2 材料科学
摘要
在铁磁性厚度极限附近的 SrRuO 薄膜中，霍尔效应除普通与反常霍尔效应外还显示一个额外峰。该额外峰曾被归因于薄膜在矫顽场附近二维 skyrmion 引起的拓扑霍尔效应；然而，SrRuO 中反常霍尔效应的符号可随饱和磁化强度改变。本文报道 SrRuO 中的霍尔峰，其中体磁强计测量与磁力显微镜表明这些峰源于符号相反的两个反常霍尔通道的叠加。这些通道很可能由 SrRuO 的厚度变化形成，产生具有不同饱和磁化强度与矫顽场的空间分离磁区。该结果对开发用于自旋电子学的强关联材料至关重要。
引用
@article{arxiv.2002.06062,
title = {Two-channel anomalous Hall effect in SrRuO3},
author = {Graham Kimbell and Paul M. Sass and Bart Woltjes and Eun Kyo Ko and Tae Won Noh and Weida Wu and Jason W. A. Robinson},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.06062},
year = {2020}
}
备注
Main: 7 pages, 6 figures. Supplementary: 10 pages, 12 figures