SrRuO$_3$薄膜中的反常克尔效应
强关联电子
2020-11-04 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们研究了SrRuO薄膜中的磁光克尔效应（MOKE），揭示了在波长、温度与磁场的广泛区间内，克尔转角并非简单地正比于磁化强度，而是呈现双分量行为。MOKE信号的一个分量追踪平均磁化强度，而第二个“反常”分量与此前在斯格明子材料中报道的霍尔电阻率异常相似。我们提出一种理论，表明当我们在靠近矫顽场大量增殖的磁畴上取平均时，克尔角与磁化强度之间的非单调关系导致了MOKE异常。我们的结果表明，非均匀畴形成而非斯格明子，可能为观测到的MOKE与霍尔电阻率异常提供共同起源。
引用
@article{arxiv.1908.08974,
title = {Anomalous Kerr Effect in SrRuO$_3$ Thin Films},
author = {F. Michael Bartram and Sopheak Sorn and Zhuolu Li and Kyle Hwangbo and Shengchun Shen and Felix Frontini and Liqun He and Pu Yu and Arun Paramekanti and Luyi Yang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.08974},
year = {2020}
}