粗糙度诱导的垂直Co/Ni多层膜畴结构
材料科学
2017-05-31 v2
摘要
我们研究了生长在具有不同厚度的Cu种子层上的Co/Ni薄膜中粗糙度、剩磁和矫顽力之间的关联。增加Ta/Cu/8x[Co/Ni]薄膜的Cu种子层厚度会增大薄膜的粗糙度。面内磁化回线显示，剩磁和矫顽力均随种子层粗糙度的增加而增加。极向克尔显微镜和磁力显微镜揭示畴密度也随粗糙度增加。在具有周期性调制表面的结构上进行的有限元微磁学模拟提供了进一步的见解。它们确认了畴密度与粗糙度之间的联系，并确定了畴壁的微观结构是粗糙薄膜中剩磁增加的来源。模拟预测畴壁的特征从光滑薄膜中的Bloch型变为较粗糙薄膜中的Néel型。
引用
@article{arxiv.1612.04867,
title = {Roughness-induced domain structure in perpendicular Co/Ni multilayers},
author = {N. R. Lee-Hone and R. Thanhoffer and V. Neu and R. Schäfer and M. Arora and R. Hübner and D. Suess and D. M. Broun and E. Girt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.04867},
year = {2017}
}