图案化 NiFe 元件中交叉畴壁结构的标度行为
材料科学
2007-11-28 v1
摘要
利用洛伦兹显微镜研究了宽度为微米及亚微米级、厚度在 30 至 70 nm 范围内的图案化 NiFe 元件中的交叉畴壁结构。虽然交叉畴壁重复单元的基本几何形状保持不变，但当交叉畴壁长度被限制为小于连续薄膜对应的值时，其密度会增加。这种情况发生在元件宽度足够窄，或者在外加磁场作用下畴壁被迫移动至靠近边缘时。在非常好的近似下，交叉畴壁密度与主畴壁和元件边缘之间距离的倒数成正比。实验表明，在受限结构中，畴壁会不断改变其形态，而产生并随后湮灭额外的涡旋/反涡旋对的需求构成了磁滞的额外来源。
引用
@article{arxiv.0710.1963,
title = {On the scaling behaviour of cross-tie domain wall structures in patterned NiFe elements},
author = {N. Wiese and S. McVitie and J. N. Chapman and A. Capella-Kort and F. Otto},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.1963},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 5 figures, accepted for publication in Europhysics Letters (EPL)