Ir 生长压力对 Ta/Pt/Co/Ir/Ta 堆栈中畴壁动力学的影响
无序系统与神经网络
2024-07-03 v2
摘要
超薄多层磁性薄膜中磁畴壁对外部磁场的动力学响应不仅取决于层的成分和厚度，还取决于生长条件。生长条件会在层内及层间界面诱导显著的结构变化，特别影响畴壁的动力学、迁移率、弹性张力以及作用于其上的钉扎力。在本工作中，我们专门关注 Ta/Pt/Co/Ir/Ta 超薄多层薄膜中 Ir 层生长压力的影响。我们对一批在不同压力下生长 Ir 层的样品进行了直流磁性能、畴壁速度以及蠕变区（针对恒定和交变场脉冲）畴壁形貌的测量。我们发现，饱和磁化强度、有效各向异性常数和畴壁表面张力随压力增加而增大，并在阈值压力下达到饱和，而 Dzyaloshinskii-Moriya 场和无序强度在所考虑的压力范围内基本保持不变。
引用
@article{arxiv.2403.07141,
title = {Effect of Ir growth pressure on the domain wall dynamics in Ta/Pt/Co/Ir/Ta stacks},
author = {P. Domenichini and J. Brock and J. Curiale and A. B. Kolton},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.07141},
year = {2024}
}
备注
13 pages, 9 figures