硅纳米三明治中的室温德哈斯-范阿尔芬效应
介观与纳米尺度物理
2016-08-24 v1 超导电性
摘要
研究表明，限制半导体量子阱边缘通道的负U杂质条带，在自旋相关输运过程中可实现内部的有效冷却。前述情况也促进了在低载流子面密度条件下，通过边缘通道捕获单磁通量子来产生复合玻色子和费米子，从而为在高温（直至室温）弱磁场中观测量子动力学现象开辟了新机遇。作为上述的一种特定版本，我们呈现了硅三明治结构中高温德哈斯-范阿尔芬效应(300K)和量子霍尔效应(77K)的首次发现，该结构代表由n型Si(100)表面上重掺硼的δ势垒限制的超窄(2 nm)p型量子阱(Si-QW)。这些数据似乎源于单空穴的低密度，由于由负U偶极硼中心组成的条带的杂质限制，这些空穴在p型Si-QW边缘通道中具有小有效质量，这似乎降低了电子-电子相互作用的效率。
引用
@article{arxiv.1601.05975,
title = {Room temperature de Haas - van Alphen effect in silicon nanosandwiches},
author = {N. T. Bagraev and V. Yu. Grigoryev and L. E. Klyachkin and A. M. Malyarenko and V. A. Mashkov and V. V. Romanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.05975},
year = {2016}
}
备注
19 pages, 7 figures