硅量子阱中边缘空穴通道的分数量子电导阶梯
介观与纳米尺度物理
2015-06-05 v1
摘要
我们展示了在 Hall 几何框架内制备的硅纳米三明治中，由边缘通道引起的空穴分数量子电导的发现。该纳米三明治代表了一个超窄 p 型硅量子阱（Si-QW），厚度为 2 nm，由重掺杂硼的 {\delta}-势垒限制在 n 型 Si (100) 表面上。通过测量纵向量子电导阶梯 Gxx 作为施加到 Hall 触点的电压 Vxy 的函数（最高达 4e2/h），揭示了 Si-QW 平面中的边缘通道。除了标准的 2e2/h 平台外，Vxy 电压的变化似乎呈现出分数量子电导阶梯的形式，其平台和台阶分别与奇数和偶数分数值相关联。
引用
@article{arxiv.1207.4928,
title = {Fractional quantum conductance staircase of edge hole channels in silicon quantum wells},
author = {N. T. Bagraev and L. E. Klyachkin and A. A. Kudryavtsev and A. M. Malyarenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.4928},
year = {2015}
}
备注
7 pages and 4 figures