硅纳米管热导率的显著降低
材料科学
2015-05-20 v1
摘要
我们提出通过在中心引入小孔，即构建硅纳米管 (SiNT) 结构，来降低硅纳米线 的热导率。我们的数值结果表明，一个非常小的孔（截面积仅减少 1%）可以在室温下引起 35% 的热导率降低。此外，在相同截面积下，SiNT 在室温下的热导率仅为 SiNW 的约 33%。振动能量的空间分布表明，局域模式集中在 SiNT 的内外表面上。SiNT 中增加的比表面积降低了非局域模式的比例，这被认为是热导率降低的原因。我们的研究表明 SiNT 是一种具有低热导率的极具前景的热电材料。
引用
@article{arxiv.1010.2861,
title = {Remarkable Reduction of Thermal Conductivity in Silicon Nanotubes},
author = {Jie Chen and Gang Zhang and Baowen Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1010.2861},
year = {2015}
}
备注
17 pages, 5 figures