硅纳米线热电性能的尺寸依赖性
材料科学
2015-05-13 v2
摘要
通过第一性原理紧束缚电子结构计算和玻尔兹曼输运方程，我们研究了硅纳米线(SiNWs)热电性能的尺寸依赖性。随着横截面积的增加，电导率缓慢增加，而塞贝克系数显著降低。这导致冷却功率因子随直径快速减小。此外，品质因数也随横向尺寸减小而降低。我们的结果表明，在热电应用中，小直径纳米线更受青睐。我们还预测同位素掺杂可以显著提高ZT值。在50%的29Si掺杂(28Si0.529Si0.5纳米线)下，ZT可提高31%。
引用
@article{arxiv.0908.1609,
title = {Size dependent thermoelectric properties of silicon nanowires},
author = {Lihong Shi and Donglai Yao and Gang Zhang and Baowen Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:0908.1609},
year = {2015}
}
备注
13 pages, 4 figures