HgTe 外延生长的自由站立 CdTe 纳米线中的残余应变
材料科学
2019-05-22 v1
摘要
我们研究了外延生长 HgTe 的 CdTe 纳米线的晶体性质。扫描电子显微镜（SEM）和扫描透射电子显微镜（STEM）分别确认，该生长获得了高集合均匀性，且各异质结构为单晶。我们利用高分辨率 X 射线衍射（HRXRD）研究由两种材料间微小晶格失配引起的应变。我们发现，与各自的块体晶格常数相比，CdTe 和 HgTe 的晶格常数均发生变化。测量揭示了一种复杂的应变模式，在外延生长的纳米线中同时存在单轴应变和剪切应变的迹象。
引用
@article{arxiv.1812.01248,
title = {Residual strain in free-standing CdTe nanowires overgrown with HgTe},
author = {M. Kessel and L. Lunczer and N. V. Tarakina and C. Brüne and H. Buhmann and L. W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.01248},
year = {2019}
}