关于“低密度硅 Inversion 层低温电阻受带电杂质散射限制”之评论的回复

S. Das Sarma; E. H. Hwang

关于“低密度硅 Inversion 层低温电阻受带电杂质散射限制”之评论的回复

强关联电子 2007-05-23 v1 无序系统与神经网络

作者: S. Das Sarma , E. H. Hwang

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摘要

本文是对 Kravchenko 等人(cond-mat/9812331)对我们早前工作(cond-mat/9812216)所作评论的回复。

关键词

低密度硅 Inversion 层带电杂质散射低温电阻

引用

@article{arxiv.cond-mat/9901117,
  title  = {Reply to the Comment on ``Charged impurity scattering limited low temperature resistivity of low density silicon inversion layers''},
  author = {S. Das Sarma and E. H. Hwang},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9901117},
  year   = {2007}
}