单层MoSe2场效应晶体管中原子空位的修复及其缺陷动力学
介观与纳米尺度物理
2016-01-22 v1
摘要
在此，我们通过EDTA处理修复了单层MoSe2场效应晶体管，之后器件的室温载流子迁移率从0.1提升至超过70cm2/Vs。通过第一性原理计算、像差校正透射电子显微镜和拉曼光谱的结合研究构建了原子动力学。最初揭示了单/双Se空位，其导致一些带隙中间杂质态并使器件载流子局域化。发现它们被修复，结果是电子传输得到改善。这一图像被拉曼光谱中1.5cm-1的红移所证实。
引用
@article{arxiv.1601.05534,
title = {Repairing atomic vacancies in single-layer MoSe2 field-effect transistor and its defect dynamics},
author = {Yuze Meng and Chongyi Ling and Run Xin and Peng Wang and You Song and Haijun Bu and Si Gao and Xuefeng Wang and Fengqi Song and Jinlan Wang and Xinran Wang and Baigeng Wang and Guanghou Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.05534},
year = {2016}
}