CVD 生长二维 MoSe2 中硒空位诱导的局域拉曼模式
材料科学
2019-04-23 v1 应用物理
摘要
缺陷在半导体性二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)的光学性质中起着重要作用。在超薄 MoSe2 中,拉曼谱中 ~250 cm-1 处的显著特征被归因为缺陷相关模式。最近的尝试未能解释该峰的起源,使其一直是个谜。本文中,我们证明该峰是硒空位诱导的缺陷模式。热效应和氢蚀刻是在 CVD 生长 MoSe2 过程中引入硒空位的两个主要因素。声子限域模型可以很好地解释本征拉曼模式的行为。密度泛函理论(DFT)计算表明,单个硒空位(VSe)导致了 ~250 cm-1 处拉曼峰的出现,且该模式是一种 A1g 类局域模式,这也被偏振拉曼散射实验所证实。该模式的相对强度可作为二维 MoSe2 质量的表征。本工作可能为调控二维 TMDCs 中硫族空位提供一种简单方法,并为研究其振动性质提供途径。
引用
@article{arxiv.1904.09789,
title = {A Se vacancy induced localized Raman mode in two-dimensional MoSe2 grown by CVD},
author = {Shudong Zhao and Meilin Lu and ShaSha Xue and Lin Yan and Peng Miao and Yan Hang and Xianjie Wang and Zhiguo Liu and Yi Wang and Lei Tao and Yu Sui and Yang Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.09789},
year = {2019}
}