关于Born-Infeld-Chern-Simons理论自对偶表述的注记
高能物理 - 理论
2007-05-23 v1
摘要
我们研究Born-Infeld-Chern-Simons理论的自对偶性，该理论可解释为IIA弦论中的质量化D2膜，并以规范不变的主Lagrangian给出其自对偶表述。所提出的主Lagrangian含有非局域辅助场，并在弱弦耦合极限的点粒子极限下趋近于Maxwell-Chern-Simons理论的自对偶表述。我们导出了对偶系统的一致正则括号。
引用
@article{arxiv.hep-th/9806105,
title = {Remarks on self-dual formulation of Born-Infeld-Chern-Simons theory},
author = {Won Tae Kim and Hyeonjoon Shin and Myung Seok Yoon},
journal= {arXiv preprint arXiv:hep-th/9806105},
year = {2007}
}
备注
7 pages, latex, no figures