非平衡电子存储器中的可靠性与熵产生
统计力学
2022-03-14 v3
摘要
我们在一个现实电子存储器模型（基于低功耗 MOS 的 SRAM）中找到了可靠性与熵产生之间的关系，其中逻辑值被编码为亚稳态的非平衡态。我们采用大偏差技术获得描述非平衡稳态的双稳态准势的解析表达式，并借此推导出一个限定存储器错误率的显式表达式。我们的结果超越了经典瞬子理论给出的主导贡献，并通过对随机模拟的比较证实了其对错误率的准确估计。所发展方法可适用于研究受热噪声影响的广泛非线性器件的可靠性。
引用
@article{arxiv.2103.01184,
title = {Reliability and entropy production in non-equilibrium electronic memories},
author = {Nahuel Freitas and Karel Proesmans and Massimiliano Esposito},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.01184},
year = {2022}
}
备注
Minor corrections and updates