压痕作用下外延 GaN 的再结晶
材料科学
2008-04-15 v2 其他凝聚态物理
摘要
我们报道了压痕作用下外延 (epi-) GaN(0001) 薄膜的再结晶现象。使用 Berkovich 压头测得的硬度值接近 10 GPa。加载曲线中的突入 (pop-in) 爆发表明位错形核，从而在应力场下启动晶格原子的塑性运动以进行再结晶过程。利用显微拉曼研究来识别再结晶过程。拉曼面映射指示了再结晶区域。在外延生长的 GaN 中对应于 E2(high) 的声子模接近 570 cm-1，而在压痕区域红移至接近无应力值的 567 cm-1。我们还报道了 A1(TO) 和 E1(TO) 声子模的演化以表征再结晶过程。
引用
@article{arxiv.0804.1824,
title = {Recrystallization of epitaxial GaN under indentation},
author = {S. Dhara and C. R. Das and H. C. Hsu and Baldev Raj and A. K. Bhaduri and L. C. Chen and K. H. Chen and S. K. Albert and Ayan Ray},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.1824},
year = {2008}
}
备注
10 pages, 3 figures,