选择性区域外延生长平面六边形微螺母形成的GaN微腔中激子发射的调控
应用物理
2019-09-23 v1 材料科学
摘要
支持回音壁模式的GaN基谐振器被认为是实现高效纳米光子应用的一种有前景的方法。在通过选择性区域金属有机气相外延生长的GaN平面六边形微腔中，实验观察到由于与腔模耦合导致的激子发射调控。在扫描电子显微镜中原位测量的低温阴极发光光谱显示，对于由双层和单层微螺母形成的谐振器，分别出现两个或三个被100 meV或160 meV分隔的发射峰。结果与腔模能量、其Q因子以及模式强度空间分布的数值计算进行了比较。尽管大多数模式具有较小的珀塞尔系数，但存在有限数量的具有大珀塞尔因子的孤立腔模。此类模式能够与GaN中的体激子高效相互作用。结果还通过对描述激子与腔模相互作用系统的哈密顿量进行对角化来分析。理论上表明，在此类微谐振器中，激子与腔模之间可能实现强耦合。
引用
@article{arxiv.1909.09410,
title = {Modification of Excitonic Emission in GaN Microcavities Formed by Planar Hexagonal Micro-Nuts Grown by Selective Area Epitaxy},
author = {Galia Pozina and Alexey V. Belonovski and Iaroslav V. Levitskii and Maxim I. Mitrofanov and Elizaveta I. Girshova and Konstantin A. Ivanov and Gleb V. Voznyuk and Sergei N. Rodin and Konstantin M. Morozov and Vadim P. Evtikhiev and Mikhail A. Kaliteevski},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.09410},
year = {2019}
}