基于飞行时间光谱学研究的GaN激子参数
材料科学
2015-05-27 v1
摘要
我们通过光脉冲在晶体中传播的飞行时间光谱学，精化了块体GaN的激子参数。通过利用脉冲在晶体边界上的多次反射，排除了弹性光子散射的影响。这些反射在时间-能量平面上的形状描绘了由激子共振引起的群速度变化。对这些形状以及其他光谱的建模表明，量级为10 eV的均匀宽度表征了晶体内的激子-极化激元共振。A和B激子-极化激元的振子强度分别确定为0.0022和0.0016。
引用
@article{arxiv.1104.2749,
title = {Excitonic parameters of GaN studied by time-of-flight spectroscopy},
author = {T. V. Shubina and A. A. Toropov and G. Pozina and J. P. Bergman and M. M. Glazov and N. A. Gippius and P. Disseix and J. Leymarie and B. Gil and B. Monemar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1104.2749},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 2 figures