用于生长中断量子阱中激子态的 realistic 异质界面模型

我们提出了一个 GaAs 量子阱中异质界面无序的模型，包括由外延生长过程中的表面扩散引起的单层岛形成等长程分量。考虑到两个界面，我们推导出了量子阱平面内激子运动的 disorder 势。激子光学性质的计算采用了两种方法：一种是使用唯象退相位的激子极化时间传播，另一种是包含微观辐射衰减和声子散射速率的完整激子本征态模型。虽然两种方法的结果总体相似，但本征态模型确实预测了退相位速率的分布和略有不同的光谱响应。将计算结果与经历生长中断的 GaAs/AlAs 量子阱中测量的吸收和共振瑞利散射进行比较，我们确定了它们的特定无序参数，如关联长度和界面平整度。我们发现两个异质界面中的长程无序高度相关，具有相当相似的平均面内关联长度，分别约为 60 和 90 nm。实验中观察到的退相位速率分布与本征态模型的结果一致。最后，我们模拟了在推断出的界面结构中分辨单个激子态的高空间分辨光学实验。